供应100V,17A N-CH MOS管IRF930
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRF530NPBF | |
| 品牌/商标： | IR | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
描述：
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 90 毫欧 @ 9A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 17A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 37nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 920pF @ 25V |
| 功率 - ： | 70W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 包装 ： | 管件 |
深圳市福田区广辉电经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
- 电话：0755-82534577/13076512089
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- QQ ：
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信息内容：描述： MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB FET 型 ： MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 ： 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 300 毫欧 @ 7.2A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) ： 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 12A Id 时的 Vgs(th)（） ： 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 38nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 860pF @ 25V 功率 - ： 88W 安装类型 ： 通孔 封装/外壳 ： TO-220-3 包装 ： 管件
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信息内容：描述： 放大器类型 ： J-FET 电路数 ： 4 转换速率 ： 16 V/µs 增益带宽积 ： 4MHz 电流 - 输入偏压 ： 20pA 电压 - 输入偏移 ： 3000µV 电流 - 电源 ： 1.4mA 电流 - 输出 / 通道 ： 40mA 电压 - 电源，单路/双路(±) ： 8 V ~ 36 V, ±4 V ~ 18 V 工作温度 ： 0°C ~ 70°C 安装类型 ： 通孔 封装/外壳 ： 14-DIP（0.300", 7.62mm） 供应商设备封装 ： 14-DIP 包装 ： 管件
