品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | IN5822 |
封装形式 | 直插型 | 装配方式 | DO-201AD |
封装材料 | 塑料封装 | 结构 | 点接触型 |
材料 | 锗 | 产品类型 | 肖特基管 |
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型号:1190 厂家:XPT 封装:MSOP、CSP芯片功能说明·XPT1190是适用于移动电话及便携通讯设备的音频功率放大器。5V电压时,驱动功率为2W(4Ω BTL负载),音频范围内总谐波失真噪声小于1%(1~20KHz);·XPT1190的应用电路简单,只需要极少数外围器件;·XPT1190输出不需要外接耦合电容或上举电容,采用MSOP、CSP封装,节约电路面积,非常适合移动电话及各种移动设备等使用低电压、低功耗应用方案上使用;·XPT1190可以通过控制进入休眠模式,从而减少功耗;·XPT1190通过创新的“开关/切换噪声”抑制技术,杜绝了上电、掉电出现的噪声;·XPT1190工作稳定,增益带宽积高达2.5MHz,并且单位增益稳定。通过配置外围电阻可以调整放大器的电压增益,方便应用。芯片功能主要特性·高电源电压抑制比(PSRR),在217Hz及1KHz时,达到70dB·噪声及谐波失真(THD+N),小于1%(5V,4Ω,2W时)·输出功率高(THD+N<1%):5V-2W(4Ω),5V-1.25W(8Ω),3V-600mW(4Ω),3V-425mW(8Ω)·掉电模式漏电流小,小于0.1uA·封装小,节约电路面积:LLP,TSOP,MSO...
品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SEDF5A6.8JE 种类 结型 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 营销方式 新品 SEDF5A6.8JE 器件特性(25℃情况下) 参数 符号 数值 单位 功耗 P 100 mW 结温度 Tj 150 ℃ 储存温度 Tstg -55~150 ℃器件电特性(25℃情况下) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 值 单位 齐纳电压 VZ IZ=5mA 6.4 6.8 7.2 V 动态阻抗 ZZ IZ=5mA ——— ——— 25 Ω 反向漏电流 IR VR=5V ——— ——— 0.5 μA 总电容 CT VR=0, f=1MHz ——— 25 ——— pF