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仙童MOS管 4N60 TO-220 场效应管

价 格: 0.95

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 4N60
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1(V) 夹断电压 -(V)
跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 4000(mA)
耗散功率 480W(mW)

我公司长期大量供应原装仙童MOS管:4N60   TO-220F封装,电流4A,电压600V,管装包装,最小包装50PCS/管,4N60还有TO-251和TO-252封装,原装环保、品质稳定、单价优势!dzsc/18/0325/18032588.jpg

温春辉
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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批量原装仙童MOS管 8N60 TO-220F 场效应管

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 8N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 600(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 8000(mA) 耗散功率 -(mW)

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原装仙童MOS管 4N60 TO-252 场效应管

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 650(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 4000(mA) 耗散功率 4000(mW) 我公司长期大量供应原装仙童MOS管:4N60 1N60 2N60 5N60 6N60 8N60 10N60 TO-252封装,原装环保、品质稳定单价优势!!dzsc/18/0325/18032590.jpg

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