原装仙童MOS管 4N60 TO-252 场效应管
| 价 格： | 0.92 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | 4N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 650（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 4000（mA） |
| 耗散功率 | 4000（mW） |
我公司长期大量供应原装仙童MOS管：4N60 1N60 2N60 5N60 6N60 8N60 10N60 TO-252封装，原装环保、品质稳定单价优势！！dzsc/18/0325/18032590.jpg
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批量仙童MOS管 4N60 TO-251 场效应管
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3.5-5.5（V） 夹断电压 -（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 4000（mA） 耗散功率 5000（mW）
厂家S9018LT1 SOT-23 贴片三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 S9018LT1 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 25（V） 集电极允许电流ICM 0.05（A） 集电极耗散功率PCM 0.2（W） 截止频率fT 600（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 我公司生产销售贴片三极管(SOT-23)封装：S8050LT1 S8550LT1 S9011LT1 S9012LT1 S9013LT1 S9014LT1 S9015LT1 S9018LT1 SS8550LT1 SS8050LT1 MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1 MMBT2907ALT1 MMBT2907LT1 MMBT3904LT1 MMBT3906LT1 MMBT4401LT1 MMBT4403LT1 MMBT5401LT1 MMBT5550LT1 MMBT5551LT1 A1015LT1 C1815LT1 C945LT1 M28S A733LT1 MMBTA05L...
