数字三极管DTA115TUA
| 价 格： | 0.15 |
| 品牌/商标 | ROHM | 型号/规格 | DTA115TUA |
| 类别 | 贴片 | 结构 | 平面型 |
| 封装形式 | 塑料封装 | 材料 | 硅 |
| 极性 | PNP型 | 电流容量 | 小功率 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 应用范围 | 带阻尼 |
- 所属城市：广东 深圳
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EPCS4SI8N单片机
信息内容：品牌/商标 ALR 型号/规格 EPCS4SI8N 封装 SO-8 批号 11 类型 单片机 DatasheetsEPCS1, 4, 16, 64 Data SheetProduct Photos8-SOICStandard Package100CategoryIntegrated Circuits (ICs)FamilyMemory - Configuration Proms for FPGA'sSeriesEPCSProgrammable TypeIn System ProgrammableMemory Size4MbVoltage - Supply3 V ~ 3.6 VOperating Temperature-40°C ~ 85°CPackage / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Supplier Device Package8-SOICPackagingTubeCatalog Page648 (US2011 Interactive)648 (US2011 PDF)Other Names544-1379-5EPCS4SI8N-ND
MMBT5551LT1 功率三极管
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MMBT5551LT1 MMBT5401LT1 类别 贴片 结构 平面型 封装形式 塑料封装 材料 硅 极性 NPN型 电流容量 中功率 频率类型 高频 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最 小 最 大 单位 集电极--基极击穿电压 BVCBO IC=100μA,IE=0 180 V 集电极--发射极击穿电压 BVCEO IC=1mA,IB=0 160 V 发射极--基极击穿电压 BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V 集电极--基极截止电流 ICBO VCB=120V,IE=0 200 nA 发射极--基极截止电流 IEBO VEB=4V,IC=0 200 nA 直流电流增益 hFE VCE=5V,IC=10mA 80 300 集电极--发射极饱和电压 VCE（sat） IC=50mA, ...
