品牌/商标 | Taiwan Semiconductor | 型号/规格 | FR104 |
应用范围 | 电源 | 整流元件 | 二极管(排) |
功率特性 | 小功率 | 交流输入电压 | 400(V) |
直流输出电压 | 1.2(V) | 直流输出电流 | 30(A) |
正向峰值电压 | 原厂规格(V) | 反向重复峰值电压 | 原厂规格(V) |
反向重复峰值电流 | 0.005(mA) | 绝缘电压 | 原厂规格(V) |
工作结温 | -65~150(℃) | 效率 | 原厂规格(%) |
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产品种类: | 整流器 |
RoHS: | dzsc/18/0229/18022922.jpg 详细信息 |
产品: | Fast Recovery Rectifier |
配置: | Single |
反向电压: | 400 V |
正向电压下降: | 1.2 V |
恢复时间: | 150 ns |
正向连续电流: | 1 A @ Ta = 55C |
浪涌电流: | 30 A |
反向电流 IR: | 5 uA |
封装 / 箱体: | DO-41 |
封装: | Reel |
工作温度: | + 150 C |
最小工作温度: | - 65 C |
Part # Aliases: | R0 |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2611 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 10(V) 夹断电压 30(V) 低频跨导 原厂(μS) 极间电容 原厂(pF) 低频噪声系数 原厂(dB) 漏极电流 原厂(mA) 耗散功率 150000(mW) 制造商: Toshiba 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.4 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电...
品牌/商标 NXP 型号/规格 BC847BW 封装 SOT-323 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 32(mm) 工作温度 0~70(℃) 静态功耗 22(mW) 类型 其他IC 制造商: NXP 产品种类: 双极小信号 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: NPN 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-323 集电极—发射极电压 VCEO: 45 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 直流电集电极电流: 0.1 A 功率耗散: 200 mW 工作频率: 100 MHz (Min) 工作温度: + 150 C 封装: Reel 最小工作温度: - 65 C 零件号别名: 934021770115 BC847BW T/R