东芝场效应管2SK26112SK2611
| 价 格： | 0.20 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK2611 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 低频跨导 | 原厂（μS） | 极间电容 | 原厂（pF） |
| 低频噪声系数 | 原厂（dB） | 漏极电流 | 原厂（mA） |
| 耗散功率 | 150000（mW） |
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.4 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: 30 V
漏极连续电流: 9 A
功率耗散: 150000 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN
封装: Tube
- 所属城市：广东 深圳
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二三极管 BC847BW
信息内容：品牌/商标 NXP 型号/规格 BC847BW 封装 SOT-323 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 32（mm） 工作温度 0~70（℃） 静态功耗 22（mW） 类型 其他IC 制造商: NXP 产品种类: 双极小信号 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: NPN 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-323 集电极—发射极电压 VCEO: 45 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 直流电集电极电流: 0.1 A 功率耗散: 200 mW 工作频率: 100 MHz (Min) 工作温度: + 150 C 封装: Reel 最小工作温度: - 65 C 零件号别名: 934021770115 BC847BW T/R
专营原装可控硅 BTA20-600B
信息内容：品牌:ST意法半导体 型号:BTA20-600B 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:金属封装 封装外形:螺旋形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:超高频 功率特性:大功率 额定正向平均电流:33（A） 控制极触发电流:33（mA） 稳定工作电流:33（A） 反向重复峰值电压:33（V）制造商: STMicroelectronics 产品种类: Triacs RoHS: 详细信息 额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 10 uA 栅触发电压 (Vgt): 1.5 V 栅触发电流 (Igt): 35 mA 保持电流（Ih 值）: 50 mA 正向电压下降: 1.7 V 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 重复峰值正向闭塞电压: 600 V Standard Pack Qty: 50
