IR功率器件场效应管,IRF840PBF
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF840PBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 1600（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 200（mA） |
| 耗散功率 | 80（mW） |
我公司供应IR(国际整流器公司)功率器件IRF840PBF,其耐压为500V,电流为8A, N沟道,全新原装,长期供应,如有需要请联系
<table border=0 cellspacing=0 cellpadding=0 width=100%><tr><td><a target=_blank href=http://szlingtong.cn.alibaba.com><img src=http://i02.c.aliimg.com/images/cn/market/trade/alitalk/201/tp.gif border=0></a><a target=_blank href=http://amos1.sh1.china.alibaba.com/msg.atc?v=1&uid=szlingtong><img border=0 src=http://amos1.sh1.china.alibaba.com/online.atc?v=1&uid=szlingtong&s=201 alt='点击这里可以给对方发送消息'>阿里巴巴诚信通在线洽谈</a><div style=display:none><a href=http://www.alibaba.com>Alibaba</a></div></td></tr></table>
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仙童IGBT管，FGL60N100BNTD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FGL60N100BNTD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800V（V） 夹断电压 1200V（V） 漏极电流 60A（mA） 耗散功率 180W（mW） 深圳凌通电子长期供应电焊机IGBT：G60N100 / FGL60N100电流为60A / 耐压为1000V如有需要请联系！0755-83981035 QQ：84056977我司专营FAIRCHILD（仙童）的快恢复管，IGBT，MOSFET等，部分型号如下：超快恢复二极管 RHRP8120 1200V/8A/TO-220 RHRP860 600V/8A/TO-220 RHRP1560 600V/15A/TO-220RHRP15120 1200V/15A/TO-220 RHRP30120 120...
场效应,IGBT管,肖特基,快恢复,电源模块
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 STP65NF06，STP4NK60，FQP7N80C，FQP50N06，FQPF8N60C，FQPF10N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 800（mW）
