仙童IGBT管，FGL60N100BNTD
| 价 格： | 10.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FGL60N100BNTD |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 800V（V） | 夹断电压 | 1200V（V） |
| 漏极电流 | 60A（mA） | 耗散功率 | 180W（mW） |
深圳凌通电子长期供应电焊机IGBT：
G60N100 / FGL60N100
电流为60A / 耐压为1000V
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我司专营FAIRCHILD（仙童）的快恢复管，IGBT，MOSFET等，部分型号如下：
超快恢复二极管
RHRP8120 1200V/8A/TO-220
RHRP860 600V/8A/TO-220
RHRP1560 600V/15A/TO-220
RHRP15120 1200V/15A/TO-220
RHRP30120 1200V/30A/TO-220
RHRG30120 1200V/30A/TO-247
RHRG75120 1200V/75A/TO-247
智能电源开关管-SPS
KA5L0380RYDTU
KA5H0165RN
KA5H0165RTU
KA5M0365RYDTU
FSDM0265RNB
KA1M0565RYDTU
FSDM0365RNB
KA1M0880B
深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，是国内较具竞争力的的公司，公司主要致力于推广功率半导体器件的MOFET, IGBT单管及模块, 超快恢复二极管等。
公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机等。
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场效应,IGBT管,肖特基,快恢复,电源模块
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 STP65NF06，STP4NK60，FQP7N80C，FQP50N06，FQPF8N60C，FQPF10N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 800（mW）
IRF730场效应管(MOSFET)HFP50N06
信息内容：品牌/商标 SEMIHOW 型号/规格 HFP50N06/HFP630/HFP2N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 60（mW）
