品牌:chahua 型号:CSM050NPT 种类:霍尔 材料:聚合物 材料物理性质:绝缘体 材料晶体结构:非晶 制作工艺:集成 输出信号:模拟型 线性度:0.1(%F.S.) 迟滞:1(%F.S.) 重复性:1(%F.S.) 灵敏度:1 漂移:1 分辨率:1
CSM050NPT系列霍尔电流传感器
应用霍尔效应原理能在电隔离条件下测量直流、交流、脉冲以及各种不规则波形的电流。
技术参数
| 型号 | CSM006NPT | CSM015NPT | CSM025NPT | CSM050NPT | |||||||||||
| IPN | 额定输入电流 | 6 | 15 | 25 | 50 | A | |||||||||
| IP | 电流测量范围 | 0~±19.2 | 0~±48 | 0~±80 | 0~±150 | A | |||||||||
| ISN | 匝数比 | 1:1000 | 1:2000 | 1:2000 | 1:2000 | ||||||||||
| RM | 测量电阻 | 100 | 50 | 50 | 25 | ||||||||||
| VSN | 额定输出电压 | 0.625 | V | ||||||||||||
| VC | 电源电压 | +5V (5%) | V | ||||||||||||
| IC | 失调电压 | 2.5(0.5%) | V | ||||||||||||
| I0 | 失调电压漂移 | -40~ +85 ≤0.5 | mV/℃ | ||||||||||||
| Vd | 绝缘电压 | 2.5 KV有效值/50Hz/1分钟 | |||||||||||||
| εL | 线性度 | <0.1 | %FS | ||||||||||||
| X | 精度 | ±0.5 | % | ||||||||||||
| Tr | 响应时间 | 90% of Ipmax <500 | ns | ||||||||||||
| f | 频带宽度(-1dB) | DC~200 | KHz | ||||||||||||
| TA | 工作环境温度 | -40~ +85 | ℃ | ||||||||||||
| TS | 贮存环境温度 | –55~ +125 | ℃ | ||||||||||||
结构参数(mm)
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使用说明
u 传感器按结构图说明接线,当待测电流从传感器输入端入,即可从输出端测得与被测电流一一对应的电压值。(注:错误的接线可能导致传感器的损坏)
u 印制板上输入端导线不得少于2mm且越短越好。
品牌:茶花 型号:CS1000F系列霍尔电流传感器 种类:霍尔 材料:聚合物 材料物理性质:绝缘体 材料晶体结构:非晶 制作工艺:厚膜 输出信号:模拟型 线性度:1(%F.S.) 迟滞:1(%F.S.) 重复性:1(%F.S.) 灵敏度:1 漂移:1 CS1000F系列霍尔电流传感器 应用霍尔效应原理能在电隔离条件下测量直流、交流、脉冲以及各种不规则波形的电流。 技术参数 型号CS200FCS400FCS600FCS800KFCS1000F IPN额定输入电流2004006008001000A IP测量电流范围 0~±4000~±8000~±12000~±15000~±1500A VSN额定输出电压4 (±1%)V VC电源电压 ±12~±15(±5%)V IC电流消耗 VC=±15V ≤25mA Vd绝缘电压在原边与副边电路之间2.5KV有效值/50Hz/1分钟 εL线性度 ≤1%FS V0零点失调电压TA=25℃ ≤±25mV VOM磁失调电压 IPN→0 <±25mV VOT失调电压温漂 ...
品牌:茶花(chahua) 型号:CS2500KF2 种类:霍尔 材料:聚合物 材料物理性质:绝缘体 材料晶体结构:非晶 制作工艺:厚膜 输出信号:模拟型 线性度:1(%F.S.) 重复性:1(%F.S.) 灵敏度:1 漂移:1产品描述:应用霍尔效应开环原理的电流传感器,能在电隔离条件下测量直流、交流、脉冲以及各种不规则波形的电流。大量用于变频器,大功率电源,静相器等行业.技 术 参 数 型号CS600KF2CS1000KF2CS1500KF2CS2000KF2CS2500KF2 IPN原边额定输入电流6001000150020002500AIP原边电流测量范围0 ~± 12000 ~± 20000 ~± 30000 ~± 30000 ~± 3500AVSN副边额定输出电压4 ± 1%VVC电源电压± 12 ~± 15 (± 5% )VIC电流消耗VC= ± 15V <25mAVd绝缘电压在原边与副边电路之间 6KV 有效值 /50Hz/1 分钟 εL线性度<1%FSV0零点失调电压TA=25 ℃ < ± 25mVVOM磁失调电压IPN→ 0 < ± 30mVVOT失调电压温漂IP=0 TA=–25 ~ +85 ℃ < ± 1mV/ ℃Tr响应时间<7μ sf频带宽度( -3dB )DC ~ 10kHzTA工作环境温度–25 ~ +85℃TS贮存环境温度–40 ~ +100℃RL负载电...