供应韩国光电子 EL305红外发射管 日本光电子发
| 价 格： | 1.00 |
应用范围:发光(LED) 品牌:KODENSHI 型号:EL305 结构:点接触型 材料:砷铝化镓(GaAlAs) 封装形式:DIP 封装材料:树脂封装 功率特性:小功率 频率特性:高频 发光颜色:红外 LED封装:无色透明(T) 出光面特征:方灯 发光强度角分布:散射型 反向电压VR:5（V） 正向直流电流IF:0.02（A）
發射波長：940nm,880nm,850nm 陶瓷、鐵殼、樹脂等材質、機構、尺寸應有盡有
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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4545K-A3（蓝光）双电极
信息内容：目的本规格针对光宏科技之 42mil InGaN 蓝光LED 晶粒 (EP-B4545K-A3) 之相关基本特性进行说明，以作为客户应用时之参考资料。 产品特性本产品为标准蓝宝石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 单面双电极结构，以具有专利之透明导电层作为P-GaN 之奥姆接触层(Ohmic contact layer)，并以3.5um Au 金属层作为焊线电极(Bonding pad)。 外观尺寸长度: 1105±30um (45mil)宽度: 1105±30um (45mil)厚度: 150±10um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度: 3.5±0.35um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA445-475nmRadiant intensity(I)350mA240-560mW/srForward voltage(Vf4)10uA2-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.6VReverse current (Ir)-10V0-2uA
台湾光宏 大功率 LED芯片，EP-B3535A-A3
信息内容：目的本規格書針對光鋐科技之35mil InGaN藍光LED晶粒(EP-B3535A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contactlayer)，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:865±30um宽度: 865±30um 厚度:150±10um焊垫直径:2±0.2um焊垫厚度:2±0.2um 光电特性 Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA445-475nmRadiant intensity(I)350mA150-410mW/srForward voltage(Vf4)10uA2.0-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.6VReverse current (Ir)-5V0-2uA
