供应膜片水位传感器，硅片水位传感器，
| 价 格： | 1.00 | |
| 型号/规格： | PTH-29 | |
| 品牌/商标： | 昊胜 |
膜片水位传感器，硅片水位传感器，湖泊固态水位传感器
用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。
PTH601采用扩散硅压阻芯体或陶瓷压阻芯体，316全不锈钢结构，
主要适用于河流、地下水位、水库、水塔及容器等的液位测量 与控制。
量 程: 100mmH2O～100mH2O、500mmH2O～500mH2O (水位高/深度)
综合精度: 0.2%FS、0.5%FS、1.0%FS
输出信号: 4～20mA(二线制)、0～5V、1～5V、0～10V(三线制)
供电电压: 24DCV(9～36DCV)
介质温度: 0～85~150℃
环境温度: 常温(-20～85℃)
负载电阻: 电流输出型：800Ω；电压输出型：大于50KΩ
绝缘电阻: 大于2000MΩ (100VDC
密封等级: IP68
长期稳定性能: 0.1%FS/年
振动影响: 在机械振动频率20Hz～1000Hz内，输出变化小于0.1%FS
电气接口(信号接口): 紧线防水螺母与五芯通气电缆连接。
机械连接(螺纹接口): 投入式
膜片水位传感器，硅片水位传感器，湖泊固态水位传感器
- 所属城市：广东 佛山
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供应压阻平面膜压力传感器，
信息内容：压阻平面膜压力传感器，基片膜压力传感器，平衡膜压力传感器压阻式传感器 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。PTH703F采用扩散硅平膜压阻芯体或陶瓷压阻芯体，316全不锈钢结构，产品零点温漂移： ≤±0.05%FS℃量程温度漂移： ≤±0.05%FS℃安全过载： 150%FS极限过载： 200%FS响应时间： 5 mS(上升到90%FS),主要适用于河流、地下水位、水库、水塔及容器等的液位测量 与控制。 量 程: -0.1MPa～+1MPa 100mmH2O～100mH2O、500mmH2O～500mH2O (水位高/深度) 综合精度: 0.2%FS、0.5%FS、1.0%FS 输出信号: 4～20mA(二线制)、0～5V、1～5V、0～10V(三线制) 供电电压: 24DCV(9～36DCV) 介质温度: 0～85℃ 环境温度: 常温(-20～85℃) 负载电阻: 电流输出型：800Ω；电压输出型：大于50KΩ 绝缘电阻: 大于2000MΩ (100VDC 密封等级: IP68 长期稳定性能: 0.1%FS/年 振动影响: 在机械振动频率20Hz～1000Hz内，输出变化小于0.1%FS 电气接口(信号接口): 紧线防水螺母与五芯...
供应半导体水位传感器，金属液位传感器，
信息内容：半导体水位传感器，金属液位传感器，显示液位传感器厂电阻应变式传感器，扩散硅压阻式液位传感器传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。产品零点温漂移： ≤±0.05%FS℃量程温度漂移： ≤±0.05%FS℃安全过载： 150%FS极限过载： 200%FS响应时间： 5 mS(上升到90%FS)PTH601S采用扩散硅压阻芯体或陶瓷压阻芯体，316全不锈钢结构，主要适用于河流、地下水位、水库、水塔及容器等的液位测量 与控制。 量 程: 100mmH2O～100mH2O、500mmH2O～500mH2O (水位高/深度) 综合精度: 0.2%FS、0.5%FS、1.0%FS 输出信号: 4～20mA(二线制)、0～5V、1～5V、0～10V(三线制) 供电电压: 24DCV(9～36DCV) 介质温度: 0～85℃ 环境温度: 常温(-20～85℃) 负载电阻: 电流输出型：800Ω；电压输出型：大于50KΩ 绝缘电阻: 大于2000MΩ (100VDC 密封等级: IP68 长期稳定性能: 0.1%FS/年 振动影响: 在机械振动频率20Hz～1000Hz内，输出变化小于0.1%FS 电气接口(信号接口):...
