供应高压场效应管SPB03N60S5
| 价 格： | 面议 |
品牌:INFINEON 型号:SPB03N60S5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:45（μS） 极间电容:450（pF） 低频噪声系数:24（dB） 漏极电流:500（mA） 耗散功率:400（mW）
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- 所属城市：广东 汕头
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供应绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD
信息内容：品牌:IR 型号:IRG4BC30FD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:24（μS） 极间电容:560（pF） 低频噪声系数:24（dB） 漏极电流:500（mA） 耗散功率:600（mW）绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD
供应绝缘栅双极晶体管G4BC30FD-S
信息内容：品牌:IR 型号:G4BC30FD-S 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电源/逆变转换/UPS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:30（μS） 极间电容:560（pF） 低频噪声系数:24（dB） 漏极电流:500（mA） 耗散功率:600（mW）绝缘栅双极晶体管G4BC30FD-S绝缘栅双极晶体管G4BC30FD-S绝缘栅双极晶体管G4BC30FD-S绝缘栅双极晶体管G4BC30FD-S
