供应高压场效应管STB6NK60Z
| 价 格： | 面议 |
品牌:SGS法意电子 型号:STB6NK60Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:30（V） 低频跨导:24（μS） 极间电容:560（pF） 低频噪声系数:24（dB） 漏极电流:5000（mA） 耗散功率:6000（mW）
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供应高压场效应管SPB03N60S5
信息内容：品牌:INFINEON 型号:SPB03N60S5 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:45（μS） 极间电容:450（pF） 低频噪声系数:24（dB） 漏极电流:500（mA） 耗散功率:400（mW）高压场效应管SPB03N60S5高压场效应管SPB03N60S5高压场效应管SPB03N60S5高压场效应管SPB03N60S5高压场效应管SPB03N60S5高压场效应管SPB03N60S5高压场效应管SPB03N60S5
供应绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD
信息内容：品牌:IR 型号:IRG4BC30FD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:24（μS） 极间电容:560（pF） 低频噪声系数:24（dB） 漏极电流:500（mA） 耗散功率:600（mW）绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD绝缘栅双极晶体管IRG4BC30FD
