贴片超快恢复二极管ES1J(SF18)
| 价 格： | 2.00 |
品牌:中性或东芝 型号:ES1J/ES1D 应用范围:快速关断(阶跃恢复) 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:超高频 正向工作电流:1（A） 反向电压:600（V）
| 型号 | 正向电流IF（A） | 正向电压VF（V） | 反向电压VR（V） | 反向漏电流IR（uA) | 反向恢复时间TRR | 封装形式 | 包装数量 |
| ES1A | 1.0 | 0.95 | 50 | 3 | 35 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
| ES1B | 1.0 | 0.95 | 100 | 3 | 35 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
| ES1C | 1.0 | 0.95 | 150 | 3 | 35 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
| ES1D | 1.0 | 0.95 | 200 | 3 | 35 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
| ES1E | 1.0 | 1.25 | 300 | 3 | 35 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
| ES1G | 1.0 | 1.25 | 400 | 3 | 55 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
| ES1J | 1.0 | 1.25 | 600 | 3 | 55 | DO-214AC | 2K/5K/7.5K每盘 |
SMA封装
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高效率二极管HER103/HER102
信息内容：品牌:MIC 型号:HER104/HER103/HER102 应用范围:快速关断(阶跃恢复) 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:高频 正向工作电流:1（A） 反向电压:300（V）型号正向电流IF（A）正向电压VF（V）反向电压VR（V）反向漏电流IR（uA)反向恢复时间TRR封装形式HER1021.01.0100350DO-41 HER103 1.01.02003 50 DO-41HER1041.01.3300350DO-41HER1051.01.3400350DO-41HER1061.01.7600375DO-41HER1071.01.7800375DO-41HER1081.01.71000375DO-41 引线粗0.7,总长59.5mm.
1A超快速二极管UF4005
信息内容：品牌:MIC 型号:UF4005 应用范围:快速关断(阶跃恢复) 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:超高频 正向工作电流:1A（A） 反向电压:600（V） 型号正向电流IF（A）正向电压VF（V）反向电压VR（V）反向漏电流IR（uA)反向恢复时间TRR封装形式UF40041.01.0400350DO-41 UF4005 1.01.7 600 3 75 DO-41UF40061.01.7800375DO-41UF40071.01.71000375DO-41 ,大芯片,引线0.74,长59.5
