供应二极管1/2W 91V
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 1/2W 91V | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | DIP | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒装 |
二极管的参数：
我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性 合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷,当然要放电。放电可以在任何方向 进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显 表现出来。因此,二极管的极电容以小为好。
额定值
反向峰值电压VRM 即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压,它的值是规定的重要因子。
直流反向电压VR 上述反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,直流 反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
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供应三极管S8550-23
信息内容：三极管工作原理： 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于由于发射结正偏,，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极...
供应三极管2N7002W
信息内容：电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。 它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等，它们的型号也都印在金属的外壳上我国生产的晶体管有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。 符号的部分“3”表示三极管。 符号的第二部分表示器件的材料和结构： A——PNP型锗材料； B——NPN型锗材料； C——PNP型硅材料； D——NPN型硅材料。 符号的第三部分表示功能： U——光电管； K——开关管； X——低频小功率管； G——高频小功率管； D——低频大功率管； A——高频大功率管。 另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
