品牌:ADV美国先进半导体 型号:50N06 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:220(V) 夹断电压:6(V)
大量现货
品牌:KOR韩国电子 型号:7n60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:80(V) 低频跨导:50(μS) 极间电容:600(pF) 低频噪声系数:10(dB) 漏极电流:30(mA)质量OK,价格便宜
dzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpgdzsc/18/8623/18862330.jpg供应现货 质量保证,应用充电器。电源适配器,铜脚,1.18芯片