供应600V,12A N-CH东芝场效应晶体管MOS型K2699
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK2699,K2699 | |
| 品牌/商标： | TOS | |
| 封装形式： | TO-3P | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive
Applications
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.5 Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 11 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
- 所属城市：广东 深圳
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供应40V,32A,P-Ch功率场效应MOS管FDD4685
信息内容：供应40V,32A,P-Ch增强型场效应MOS管FDD4685 FDD468540V P-Channel PowerTrench® MOSFET–40V, –32A, 27mΩFeaturesMax rDS(on) = 27mΩ at VGS = –10V, ID = –8.4AMax rDS(on) = 35mΩ at VGS = –4.5V, ID = –7AHigh performance trench technology for extremely low rDS(on)RoHS CompliantGeneral DescriptionThis P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and good switching characteristic offering superior performance in application.ApplicationInverterPower Supplies
供应大功率继电器常开型/HLS-T90(15F)-A
信息内容：触点参数: 触点形式 1A /1B /1C 触点材料 Ag Alloy 触点负载 1A:30A240VAC/20A 28VDC 1B:15A 240VAC/10A 28VDC 1C:20A/10A240VAC/28VDC 转换电压 250VAC/30VDC 转换电流 30A 转换功率 6000VA/560W 接触电阻(首次) 100m Ω Max at6VDC 1A 电气寿命 100,000 OperatiONs (rated load) 机械寿命 10,000,000 Operations (no load) 一般参数: 绝缘阻值 100M Ω Min at500VDC 触点间耐压 1500VAC 50-60HZ ( 1 minute) 触点与线圈间耐压 2000VAC 50-60HZ ( 1 minute) 吸合时间 15ms max 释放时间 10ms max 环境温度 -40 ℃ to+125 ℃ 冲击 动作极限 10G 破坏极限 20G 振动 10-55Hz,1.5mm double amplitude 湿度 40-85% RH 重量 Approx 32g 安全标准 UL CQC 线圈参数:(@20 ℃ ) 额定电压 (VDC) 线圈阻值 Ω ( ± 10% ) 吸合电压 (VDC) 最小释放电压 (VDC) 允许电压(VDC) 0.93W 3 9.7 2.25 0.15 3.9 5 26.9 3.75 0.25 6...
