价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FDD4685, | |
品牌/商标: | FSC | |
封装形式: | TO-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | |
供应40V,32A,P-Ch增强型场效应MOS管FDD4685
FDD4685
40V P-Channel PowerTrench® MOSFET
–40V, –32A, 27mΩ
Features
Max rDS(on) = 27mΩ at VGS = –10V, ID = –8.4A
Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = –4.5V, ID = –7A
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
RoHS Compliant
General Description
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and good switching characteristic offering superior performance in application.
Application
Inverter
Power Supplies
触点参数: 触点形式 1A /1B /1C 触点材料 Ag Alloy 触点负载 1A:30A240VAC/20A 28VDC 1B:15A 240VAC/10A 28VDC 1C:20A/10A240VAC/28VDC 转换电压 250VAC/30VDC 转换电流 30A 转换功率 6000VA/560W 接触电阻(首次) 100m Ω Max at6VDC 1A 电气寿命 100,000 OperatiONs (rated load) 机械寿命 10,000,000 Operations (no load) 一般参数: 绝缘阻值 100M Ω Min at500VDC 触点间耐压 1500VAC 50-60HZ ( 1 minute) 触点与线圈间耐压 2000VAC 50-60HZ ( 1 minute) 吸合时间 15ms max 释放时间 10ms max 环境温度 -40 ℃ to+125 ℃ 冲击 动作极限 10G 破坏极限 20G 振动 10-55Hz,1.5mm double amplitude 湿度 40-85% RH 重量 Approx 32g 安全标准 UL CQC 线圈参数:(@20 ℃ ) 额定电压 (VDC) 线圈阻值 Ω ( ± 10% ) 吸合电压 (VDC) 最小释放电压 (VDC) 允许电压(VDC) 0.93W 3 9.7 2.25 0.15 3.9 5 26.9 3.75 0.25 6...
触点参数: 触点形式 1A /1B /1C 触点材料 Ag Alloy 触点负载 1A:30A240VAC/20A 28VDC 1B:15A 240VAC/10A 28VDC 1C:20A/10A240VAC/28VDC 转换电压 250VAC/30VDC 转换电流 30A 转换功率 6000VA/560W 接触电阻(首次) 100m Ω Max at6VDC 1A 电气寿命 100,000 OperatiONs (rated load) 机械寿命 10,000,000 Operations (no load) 一般参数: 绝缘阻值 100M Ω Min at500VDC 触点间耐压 1500VAC 50-60HZ ( 1 minute) 触点与线圈间耐压 2000VAC 50-60HZ ( 1 minute) 吸合时间 15ms max 释放时间 10ms max 环境温度 -40 ℃ to+125 ℃ 冲击 动作极限 10G 破坏极限 20G 振动 10-55Hz,1.5mm double amplitude 湿度 40-85% RH 重量 Approx 32g 安全标准 UL CQC 线圈参数:(@20 ℃ ) 额定电压 (VDC) 线圈阻值 Ω ( ± 10% ) 吸合电压 (VDC) 最小释放电压 (VDC) 允许电压(VDC) 0.93W 3 9.7 2.25 0.15 3.9 5 26.9 3.75 0.25 6...