品牌:MIC 型号:SF18/SF16 应用范围:整流 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:超高频 正向工作电流:1.0(A) 反向电压:600(V)
超快速二极管SF18电参数
型号 | 正向电流IF(A) | 正向电压VF(V) | 反向电压VR(V) | 反向漏电流IR(mA) | 反向恢复时间TRR(nS) | 封装形式 |
SF18 | 1 | 1.25 | 600 | 3 | 35 | DO-41 |
对应贴片ES1J
品牌:中性或东芝 型号:ES1J/ES1D 应用范围:快速关断(阶跃恢复) 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:超高频 正向工作电流:1(A) 反向电压:600(V) 型号正向电流IF(A)正向电压VF(V)反向电压VR(V)反向漏电流IR(uA)反向恢复时间TRR封装形式包装数量ES1A1.00.9550335DO-214AC2K/5K/7.5K每盘ES1B1.00.951003 35DO-214AC2K/5K/7.5K每盘ES1C1.00.95150335DO-214AC2K/5K/7.5K每盘ES1D1.00.95200335DO-214AC2K/5K/7.5K每盘ES1E1.01.25300335DO-214AC2K/5K/7.5K每盘ES1G1.01.25400355DO-214AC2K/5K/7.5K每盘ES1J1.01.25600355DO-214AC2K/5K/7.5K每盘 SMA封装
品牌:MIC 型号:HER104/HER103/HER102 应用范围:快速关断(阶跃恢复) 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:高频 正向工作电流:1(A) 反向电压:300(V)型号正向电流IF(A)正向电压VF(V)反向电压VR(V)反向漏电流IR(uA)反向恢复时间TRR封装形式HER1021.01.0100350DO-41 HER103 1.01.02003 50 DO-41HER1041.01.3300350DO-41HER1051.01.3400350DO-41HER1061.01.7600375DO-41HER1071.01.7800375DO-41HER1081.01.71000375DO-41 引线粗0.7,总长59.5mm.