价 格: | 88.00 |
品牌:TOSHIBA东芝 型号:2SC5200-O 应用范围:功率 功率特性:大功率 极性:NPN型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 集电极允许电流:15(A) 营销方式:现货 产品性质:热销
型号 | 2SC5200 | |
极性 | NPN | |
互补产品 | 2SA1943 | |
集电极-发射极电压VCEO | 230 V | |
集电极电流(DC) IC(DC) | 15 A | |
封装 | TO-3P(L) | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
载带信息 | 引线型元器件 | |
产品分类 | 高频开关功率晶体管 |
品牌:Toshiba东芝 型号:2SJ681(Q) 封装:New PW-Mold2 批号:10+ 营销方式:库存 产品性质:热销 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 规格尺寸:New PW-Mold2(mm) 工作温度:-40~125(℃)部件型号2SJ681 极性P沟 漏源电压VDSS-60 V 漏电流ID-5 A 漏功耗PD20 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)15 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=-4V0.25 Ω 封装New PW-Mold2 管脚数3 表面安装型Y or N 产品分类功率MOSFET ( P溝功率MOSFET) RoHS Compatible Product(s) (#)
品牌:Toshiba东芝 型号:2SJ200-Y 封装:TO-3P(N) 批号:10+ 营销方式:库存 产品性质:热销 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 规格尺寸:TO-3P(N)(mm) 工作温度:-40~125(℃)部件型号2SJ200 极性P沟 漏源电压VDSS-180 V 漏电流ID-10 A 漏功耗PD120 W 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=-10V0.83 Ω 封装TO-3P(N) 管脚数3 产品分类功率MOSFET ( P溝功率MOSFET) 将停产型号:NRND