东芝功率MOSFET管 2SJ200-Y
| 价 格： | 面议 |
品牌:Toshiba东芝 型号:2SJ200-Y 封装:TO-3P(N) 批号:10+ 营销方式:库存 产品性质:热销 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 规格尺寸:TO-3P(N)（mm） 工作温度:-40~125（℃）
| 部件型号 | 2SJ200 | |
| 极性 | P沟 | |
| 漏源电压VDSS | -180 V | |
| 漏电流ID | -10 A | |
| 漏功耗PD | 120 W | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=-10V | 0.83 Ω | |
| 封装 | TO-3P(N) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET ( P溝功率MOSFET) |
将停产型号：NRND
- 所属城市：广东 深圳
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东芝肖特基二极管 1SS389(TH3,F,T)
信息内容：品牌:Toshiba 型号:1SS389(TH3,F,T) 批号:2009 封装:ESC(0.8 x 1.6) 营销方式:现货 产品性质:热销 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 规格尺寸:ESC(0.8 x 1.6)（mm） 工作温度:-40~125（℃）部件型号1SS389 内部连接单个 反向电压VR10 V 平均整流电流IO0.1 A 正向电压VF@IF=5mA, typ0.23 V 正向电压VF@IF=5mA, max0.3 V 正向电压VF@IF=100mA, typ0.35 V 正向电压VF@IF=100mA, max0.5 V 封装ESC(0.8 x 1.6) 管脚数2 表面安装型Y 特征低VF 产品分类小信号肖特基势垒二极管 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)Available
东芝齐纳二极管 DF2S6.8FS(TH3,T)
信息内容：品牌:Toshiba 型号:DF2S6.8FS 批号:2010+ 封装:fSC(0.6 x 1.0) 营销方式:现货 产品性质:热销 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 规格尺寸:fSC(0.6 x 1.0)（mm） 工作温度:-40~125（℃）部件型号DF2S6.8FS 电路数1 内部连接单个 齐纳电压VZ(标准)@IZ=5mA6.8 V 反向电流IR()0.5 μAVZ=5V终端总电容CT(标准) @VZ= 0V25 pF 封装fSC(0.6 x 1.0) 管脚数2 表面安装型Y 产品分类ESD保护用二极管（标准型，单一型） 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)Available
