供应三极管C945
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | C945 | |
| 品牌/商标： | KEC | |
| 封装形式： | TO-92 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 极性： | |
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集电极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中 性的p型区和n型区隔开。
射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。下面在介绍完三极管的电流电压特性后，会再仔细讨论三极管的用途。
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供应三极管S9014
信息内容：三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集电极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中 性的p型区和n型区隔开。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基 极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形 下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。...
供应场效应管，FDN352AP,
信息内容：FDN352AP 单P沟道的PowerTrench ® MOSFET的 特点 ■ -1.3阿，- 30V的ř DS（日） = 180米 Ω 用V 广深高速 = - 10V的 -1.1阿，- 30V的ř DS（日） = 300米 Ω 用V 广深高速 = - 4.5V的 ■ 高性能极低的沟槽技术 ř DS（日） 。 ■ 高行业标准SOT - 23封装的版本。 相同的针脚为SOT - 23，30％为高功率处理能力 能力。 应用 ■ 笔记本电脑的电源管理 一般描述 这个P -通道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体 安森美半导体先进的功率沟槽进程中发挥了 被特别定制，以减低对态电阻和 但维持出色的开关性能低栅极电荷。 这些器件非常适合电池供电的低电压和 在低线功率损耗是在需要的应用 甚小外形表面贴装封装。 额定值 T 一 = 25℃，除非另有说明 包装标识和订货信息 符号参数额定值单位 V 决策支持系统 漏源电压-30 V V 安全总局 栅源电压 ± 25伏特 我 ð 漏电流 - 连续（附注1a）-1.3阿 - 脉冲-10 P ð 功率消耗单操作（注1A）条0.5瓦 （附注1b）0.46 T Ĵ ，T 代课教师津贴 工作和存储结温范围-55℃至+150 ° ç 热特性 ř θ 司法机构政务长 热阻，结到环境（附注1a）250 ° C / W的 ř θ 赛马 热阻，结到外壳（注1）75 器件...
