价 格: | 面议 | |
型号/规格: | S9014 | |
品牌/商标: | KEC | |
封装形式: | TO-92 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特性: | 中功率 | |
频率特性: | 中频 | |
极性: | PNP型 |
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集电极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中 性的p型区和n型区隔开。
FDN352AP 单P沟道的PowerTrench ® MOSFET的 特点 ■ -1.3阿,- 30V的ř DS(日) = 180米 Ω 用V 广深高速 = - 10V的 -1.1阿,- 30V的ř DS(日) = 300米 Ω 用V 广深高速 = - 4.5V的 ■ 高性能极低的沟槽技术 ř DS(日) 。 ■ 高行业标准SOT - 23封装的版本。 相同的针脚为SOT - 23,30%为高功率处理能力 能力。 应用 ■ 笔记本电脑的电源管理 一般描述 这个P -通道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体 安森美半导体先进的功率沟槽进程中发挥了 被特别定制,以减低对态电阻和 但维持出色的开关性能低栅极电荷。 这些器件非常适合电池供电的低电压和 在低线功率损耗是在需要的应用 甚小外形表面贴装封装。 额定值 T 一 = 25℃,除非另有说明 包装标识和订货信息 符号参数额定值单位 V 决策支持系统 漏源电压-30 V V 安全总局 栅源电压 ± 25伏特 我 ð 漏电流 - 连续(附注1a)-1.3阿 - 脉冲-10 P ð 功率消耗单操作(注1A)条0.5瓦 (附注1b)0.46 T Ĵ ,T 代课教师津贴 工作和存储结温范围-55℃至+150 ° ç 热特性 ř θ 司法机构政务长 热阻,结到环境(附注1a)250 ° C / W的 ř θ 赛马 热阻,结到外壳(注1)75 器件...
笔记本电脑的电源管理 一般描述 这个P -通道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体 安森美半导体先进的功率沟槽进程中发挥了 被特别定制,以减低对态电阻和 但维持出色的开关性能低栅极电荷。 这些器件非常适合电池供电的低电压和 在低线功率损耗是在需要的应用 甚小外形表面贴装封装。 额定值