品牌:IR 型号:IRFR9024N 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4(V) 夹断电压:55(V) 低频跨导:24(μS) 极间电容:350(pF) 低频噪声系数:24(dB) 漏极电流:55000(mA) 耗散功率:38000(mW)
场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N场效应管IRFR9024N
品牌:IR美国国际整流器 型号:8EWS12 应用范围:快速关断(阶跃恢复) 结构:面接触型8EWS12
品牌:SGS法意电子 型号:STB6NK60Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:30(V) 低频跨导:24(μS) 极间电容:560(pF) 低频噪声系数:24(dB) 漏极电流:5000(mA) 耗散功率:6000(mW)高压场效应管STB6NK60Z高压场效应管STB6NK60Z高压场效应管STB6NK60Z高压场效应管STB6NK60Z