供应霍尔闭环电流传感器CSNF161/CSM100LA
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CSNF161/CSM100LA | |
| 品牌/商标： | honeywell(霍尼韦尔) |
产
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CSNF161 额定电流（有效值）//100A 测量范围（峰值）// 0~±150A 负载阻抗（额定电流时）// 10~40Ω 额定输出 //100mA 线圈匝比 //1:1000 线圈阻抗//（70°C） 30Ω 工作电压 //±12~15VDC（±5%） 度// ±0.5% 线性度// ±0.1% 绝缘耐压 3kV rms/50HZ/1分钟 零点输出 ±0.2mA以内 温度漂移//（0~70°C） ±0.3mA 响应时间 //<0.5μs di/dt动态特性 //>100A/μs 带宽 //DC~150kHZ 消耗电流 // 14mA+输出电流 工作温度范围 //-40~+85°C 储存温度范围 //-40~+90°C 重量 // 21g 体积长宽高//36.5*14.5*29.9mm 穿孔尺寸//13.5*10mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
- 所属城市：广东 深圳
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供应霍尔电流传感器CSNR161,CSM200AP
信息内容：产品规格︰ CSNR161 额定电流（有效值） //125A 测量范围（峰值） // 0~±200A 负载阻抗（额定电流时）//30~40Ω额定输出 // 125mA 线圈匝比 //1:1000 线圈阻抗（70°C）// 30Ω 工作电压 //±12~15VDC（±5%） 精确度 //±0.5% 线性度// ±0.1% 绝缘耐压 //3kV rms/50HZ/1分钟 零点输出// ±0.2mA以内 温度漂移（0~70°C）// ±0.3mA(典型值）±0.5mA(值） 响应时间 //<0.5μs di/dt动态特性// >100A/μs 带宽 //DC~150kHZ 消耗电流 // 14mA+输出电流 工作温度范围 //-40~+85°C 储存温度范围// -40~+90°C 重量 // 21g 体积长宽高//36.5*14.5*29.9mm穿孔尺寸//13.5*10mm 产品信息 产品说明： CSM200AP系列应用霍尔效应闭环原理的电流传感器，能在电隔离条件下测量直流、交流、脉冲以及各种不规则波形的电流。 电参数： 型号 CSM050AP CSM100AP CSM125AP CSM200AP IPN 原边额定输入电流 50 100 125 200 A IP 原边电流测量范围 0～±150 （±18V,100Ω） 0～±300 （±18V,68Ω） 0～±375 （±18V,15Ω） 0～...
供应20V,2A N-CH MOS管IFDN327N
信息内容：供应20V,2A N-CH MOS管IFDN327N FDN327NN-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrenchÒ MOSFETGeneral DescriptionThis 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s highvoltage PowerTrench process. It has been optimized forpower management applications.Applications· Load switch· Battery protection· Power managementFeatures· 2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 VRDS(ON) = 80 mW @ VGS = 2.5 VRDS(ON) = 120 mW @ VGS = 1.8 V· Low gate charge (4.5 nC typical)· Fast switching speed· High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
