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供应IGBT驱动器KA841驱动模块 驱动IC

价 格: 面议

型号:KA841 厂家:LMY 封装:SIP15

TX-KA841 IGBT驱动器

原理框图

特点

    • 单管大功率IGBT模块驱动器。
    • EXB841的改进型,管脚与EXB841完全兼容,缺省参数也基本相同,可直接代换。
    • 可按缺省值直接使用,也可根据需要调节盲区时间、软关断的速度、故障后再次启动的时间。
    • IGBT短路时的集射极电压阈值的设定可用电阻精细调节,也可使用稳压管调节。
    • 使用单一电源,驱动器内部设有负压分配器,减少了外部元器件。
    • 电源电压可在20-24V间,用户选择范围宽。电源电压的变化不影响过流阈值的设定。

    应用

      • 可驱动IGBT (300A/1200V或 500A/600V) 一只

      外形尺寸


      电性能参数(点击打开)

      应用连接图

      1. 一般情况,必须接一个合适的Rn;但可以不接Cblind、Creset、Coff。
      2. 滤波电容Cc、Ce、Cp可用22~47μF电解电容、再各并联一个1μ以上的CBB无感电容,耐压Cc、Ce>=25V,Cp>=35V。Re=100-330Ω/0.125W。Rge>=4K7/0.25W。Rg=2.2-22Ω。
      3. 选取故障输出光耦的串联电阻R2时,要考虑到11脚输出的低电平接近于负电源Vee。
      4. 隔离反馈二极管Dhv应选用高压快恢复管,如HER107、FUR1100等。
      5. 在已有电源中替换EXB841的方法请见:替换。
      6. KA841短路保护特性的测试请参见:短路保护功能测试。
      7. 静态输出波形的测试请参见:正常输出波形的测试。

      特别提醒:谨防输出短路。

      过流保护曲线:

      管脚说明:
      1、2:信号输入端。
      3、4:空脚。
      5:过流时的集电极发射极电压设置端。
      6:盲区时间设定端。
      7:驱动器的辅助电源Vp的负端,也是驱动器内部负电源的Vee端。
      8:短路保护后再次启动时间设定端。
      9:软关断时间设定端。
      10:IGBT电流检测端,接IGBT的集电极。
      11:故障信号输出端。
      12:空脚。
      13:驱动器输出端,接IGBT的栅极。
      14:驱动器的辅助电源Vp的正端,也是驱动器内部正电源的Vcc端。
      15: 驱动器内部的参考点COM,接IGBT的发射极。

      北京落木源电子技术有限公司
      公司信息未核实
      • 所属城市:北京 北京市
      • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
      • 联系人: 陈先生
      • 电话:10-62024388
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      公司相关产品

      单管大功率IGBT、MOSFET驱动器KC101

      信息内容:

      型号:KC101 厂家:LMY 批号:0820 封装:SIPTX-KC101 IGBT驱动器原理框图特点单管大功率IGBT、MOSFET驱动器无需隔离的辅助电源工作占空比5-95%关断时输出为负电平过流时软关断,并封锁短路信号以执行一个完整的保护过程,如外部控制电路没有动作,则按用户设定的间隔重新启动可按默认值直接使用,也可根据需要自行设置过流动作电压、死区时间、软关断的速度和故障后再次启动的时间。应用可驱动IGBT (200A/1200V或400A/600V) 一只外形尺寸电性能参数(点击打开)图1.驱动器等效输入电流测试图图2.应用连接图1. T1、T2可用>=2A/40V/60MHz的三极管,D1、D2用>=0.3A/25V的肖特基管。2. C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF以上的CBB无感电容。3. Ce=10uF/25V电解。4. Rg1、Rg2=2.2-22Ω。5. Rge=3.3-4.7KΩ,不宜超出此范围。6. 选取故障输出光耦的串联电阻R2时,要考虑到5脚输出的低电平接近于驱动器内部的负电源Vee大致为-9V。7. 隔离反馈二极管Dhv应选用高压快恢复管,如HER107、FUR1100等。8. KC101短路保护特性的测试请参见:短路保护功能测试。9. 静态输出波形的测试请参见:正常输出波形的测试。10. 考虑到较高频率下的应用,驱动器缺省设置的保护盲区...

      详细内容>>

      IGBT驱动器双正(反)激驱动器KD201驱动模块

      信息内容:

      型号:KD201 厂家:LMY 批号:0820 封装:SIP特点· 双管隔离驱动器· 无需隔离电源· 工作占空比5-95%· 关断时输出为负电平 应用· 用于驱动双正激或双反激变换器中的两只大功率MOSFET或IGBT管。· 用两块驱动器,可以驱动一个普通全桥。· 适用的器件,封装大致为TO-3P、TO-247,电流容量范围为20-60A,电压容量范围为400-1700V,栅源电容Cgs范围为4.7-22nF。· PWM或PFM控制均可原理框图(1/2)dzsc/17/3890/17389026.jpg外形尺寸dzsc/17/3890/17389026.jpgdzsc/17/3890/17389026.jpg电性能参数(点击打开)图1.驱动器等效输入电流测试图dzsc/17/3890/17389026.jpg 图2.驱动双正激或双反激电路时的连接图dzsc/17/3890/17389026.jpg1. R1可用2.2-10Ω,C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管,D1、D2用>=0.25A/25V的肖特基管。3. R2可用2.2-22Ω。4.R3须在3.3-4.7KΩ。5. D为续流二极管,由用户根据情况选用。

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