单管大功率IGBT、MOSFET驱动器KC101
| 价 格： | 面议 |
型号:KC101 厂家:LMY 批号:0820 封装:SIP
| TX-KC101 IGBT驱动器 |
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原理框图
特点
应用
外形尺寸   电性能参数（点击打开） 图1.驱动器等效输入电流测试图
图2.应用连接图
1. T1、T2可用>=2A/40V/60MHz的三极管，D1、D2用>=0.3A/25V的肖特基管。 特别提醒：使用前，请仔细阅读注意事项。 管脚说明： 1、2：信号输入端。3、4：空脚。 过流保护波形 
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IGBT驱动器双正(反)激驱动器KD201驱动模块
信息内容：型号:KD201 厂家:LMY 批号:0820 封装:SIP特点· 双管隔离驱动器· 无需隔离电源· 工作占空比5－95％· 关断时输出为负电平 应用· 用于驱动双正激或双反激变换器中的两只大功率MOSFET或IGBT管。· 用两块驱动器，可以驱动一个普通全桥。· 适用的器件，封装大致为TO-3P、TO-247，电流容量范围为20－60A，电压容量范围为400－1700V，栅源电容Cgs范围为4.7-22nF。· PWM或PFM控制均可原理框图(1/2)dzsc/17/3890/17389026.jpg外形尺寸dzsc/17/3890/17389026.jpgdzsc/17/3890/17389026.jpg电性能参数(点击打开)图1.驱动器等效输入电流测试图dzsc/17/3890/17389026.jpg 图2.驱动双正激或双反激电路时的连接图dzsc/17/3890/17389026.jpg1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管，D1、D2用>=0.25A/25V的肖特基管。3. R2可用2.2－22Ω。4.R3须在3.3－4.7KΩ。5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。
IGBT半桥驱动器 驱动IC 驱动板
信息内容：型号:KD301 厂家:LMY 批号:0820 封装:SIPIGBT半桥驱动器驱动IC——TX-KD301特点· 两个单管驱动器组合的半桥隔离驱动器· 无需隔离电源· 关断时输出为负电平 应用· 用于驱动半桥、全桥、推挽正激变换器中的两只大功率MOSFET或IGBT管,适用的器件封装大致为TO-3P、TO-247，电流容量范围为20－60A，电压容量范围为400－1700V，栅源电容Cgs范围为4.7-15nF。· PWM/PFM控制和移相控制均可
