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供应OCXO恒温晶体振荡器SOXO14~14E

价 格: 0.01

品牌:spaceon 型号:SOXO14/14A/14B/14C /14D/14E 种类:振荡器 标称频率:5~150(MHz) 调整频差:1(MHz) 温度频差:1(MHz) 总频差:1(MHz) 负载电容:1(pF) 负载谐振电阻:1(Ω) 激励电平:1(mW) 基准温度:1(℃) 插入损耗:1(dB) 阻带衰减:1(dB) 输入阻抗:1(kΩ) 输出阻抗:1(kΩ)

【恒温晶体振荡器SOXO14/14A/14B/14C /14D/14E】

(型号:SOXO14A~SOXO14E)

◆频率范围:5~150MHz;

◆谐波:≤-40dBc;

◆杂波:≤-80dBc;

◆频率准确度:≤±5×10-7 ;

◆老化:≤1×10-7~5×10-8/ day(30天后);

◆输出:H:TTL/HCMOS;S:SINEWAVE (+5~+13dBm/50W);

◆电源电压:±12V,±15V;

◆频率温度稳定度: ±3×10-7 /0℃~+50℃; ±5×10-7 /-55℃~+85℃;

◆相位噪声(10MHz~150MHz):-

130dBc/Hz/100Hz;-155dBc/Hz/1KHz;

-165dBc/Hz/10KHz;168dBc/Hz/100KHz;

◆功耗:≤6~14W(开机);≤3~5W (稳定/25℃);

◆电流:≤800mA(开机);≤300mA(稳定/25℃);

◆频率 vs 电压变化 (10%):≤±5×10-7 ;

◆频率 vs 负载变化 (10%):≤±5×10-7;

◆型号/输出/外形尺寸L×W×H(max): S0XO14/SMA双路输出/65×50×18mm ; S0XO14A/插针式输出/50×50×15mm ;S0XO14B/SMA单路输出/65×50×15mm ;S0XO14C/SMA单路输出/65×50×15mm ;S0XO14D/SMA双路输出/50×50×15mm ;S0XO14E/SMA双路输出/65×50×16mm 。

成都天奥电子股份有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:四川 成都
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 刘洲
  • 电话:028-87559317
  • 传真:028-87559317
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供应恒温晶体振荡器SOXO18系列

信息内容:

品牌:天奥 型号:SOXO18系列 种类:晶振 标称频率:1(MHz) 调整频差:1(MHz) 温度频差:1(MHz) 总频差:1(MHz) 负载电容:11(pF) 负载谐振电阻:1(Ω) 激励电平:1(mW) 基准温度:1(℃) 插入损耗:1(dB) 阻带衰减:11(dB) 输入阻抗:1(kΩ) 输出阻抗:1(kΩ)恒温晶体振荡器SOXO18系列产品特点及应用:l 体积小、功耗低、稳定度高 l 频率稳定度高 10-7~10-8 l 标准封装结构,多种输出方式广泛适用于通信、电子等领域 表1 电性能参数性能指标符号最小典型参数单位条件/备注频率范围F10100120MHz 工作温度Ta见表2℃ 存储温度Ts-55 +85℃ 频率精度 ±0.2±0.5±1ppm+25℃±2℃频率温度稳定度 见表2 老化 ±0.5±1 ppm/year 输出形式 +5+7+10dBm/50WS:SINE WAVE H:TTL/CMOS输入电压Vdd A=12±5%B=5±5%C=3.3±5% V 输入电流IMAX500550650mAVdd=5VI稳定150200240相位噪声(典型值)10Hz100Hz1kHz100kHz -90-120-145-150dBc/HzF0=10MHz-75-110-140-150F0=100MHz 表2温度范围频率温度稳定度(ppm)A (±0.02)B (±0.05)C (&pl...

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供应表贴温补晶体振荡器STXO25A

信息内容:

品牌:天奥 型号:表贴温补晶体振荡器STXO25A 种类:晶振 标称频率:1(MHz) 调整频差:1(MHz) 温度频差:1(MHz) 总频差:1(MHz) 负载电容:1(pF) 负载谐振电阻:1(Ω) 激励电平:11(mW) 基准温度:1(℃) 插入损耗:1(dB) 阻带衰减:1(dB) 输入阻抗:1(kΩ) 输出阻抗:1(kΩ)表贴温补晶体振荡器STXO25A 产品特点及应用: 7.0×5.0×2.0mm 陶瓷SMD封装精度高输出为CMOS或准Sine Wave 工作电压: 3.3V/5V 广泛应用于民用通信、电子等领域 表1性能参数符号最小典型指标单位条件/备注频率范围F5 26MHz 标准频率5,6.4,8,10,12.5,12.8,16,19.44,25MHz 工作温度Ta见表2℃ 存储温度Ts-55 +125℃ 频率温度稳定度 见表2ppm 输出形式CMOSClipped Sine wave C:CMOSS:Clipped Sine wave输入电压Vdd4.753.13 5.253.47VA=5V±5%B=3.3V±5%供电电流 6mACMOS3.5SINE WAVE输出电平 0.8 VVp-p“1” “0”电平 90% Vdd 10% VddV 占空比 4045/5560%CMOSVc的输入阻抗 100 MΩ 相位噪声 -120-140-148 dBc/Hz/100HzdBc/Hz/1KHzdBc/Hz/10KHz12.8MHz三态控制 (Vdd)70% VT:有 (Vdd)30%N:无 表2温度...

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