供应恒温晶体振荡器SOXO18系列
| 价 格： | 0.01 |
品牌:天奥 型号:SOXO18系列 种类:晶振 标称频率:1（MHz） 调整频差:1（MHz） 温度频差:1（MHz） 总频差:1（MHz） 负载电容:11（pF） 负载谐振电阻:1（Ω） 激励电平:1（mW） 基准温度:1（℃） 插入损耗:1（dB） 阻带衰减:11（dB） 输入阻抗:1（kΩ） 输出阻抗:1（kΩ）
恒温晶体振荡器SOXO18系列产品特点及应用：l 体积小、功耗低、稳定度高 l 频率稳定度高 10-7～10-8 l 标准封装结构，多种输出方式
广泛适用于通信、电子等领域
表1 电性能参数
性能指标 | 符号 | 最小 | 典型参数 | 单位 | 条件/备注 | |
频率范围 | F | 10 | 100 | 120 | MHz |
|
工作温度 | Ta | 见表2 | ℃ |
| ||
存储温度 | Ts | －55 |
| +85 | ℃ |
|
频率精度 |
| ±0.2 | ±0.5 | ±1 | ppm | +25℃±2℃ |
频率温度稳定度 |
| 见表2 |
|
| ||
老化 |
| ±0.5 | ±1 |
| ppm/year |
|
输出形式 |
| ＋5 | ＋7 | ＋10 | dBm/50W | S：SINE WAVE |
|
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| H：TTL/CMOS | ||
输入电压 | Vdd |
| A=12±5% B=5±5% C=3.3±5% |
| V |
|
输入电流 | IMAX | 500 | 550 | 650 | mA | Vdd＝5V |
I稳定 | 150 | 200 | 240 | |||
相位噪声(典型值) | 10Hz | 100Hz | 1kHz | 100kHz |
|
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-90 | -120 | -145 | -150 | dBc/Hz | F0＝10MHz | |
-75 | -110 | -140 | -150 | F0＝100MHz | ||
表2
温度范围 | 频率温度稳定度（ppm） | |||
A (±0.02) | B (±0.05) | C (±0.1) | D (±0.5) | |
A 0℃～+50℃ | √ | √ | √ | √ |
B -10℃～+60℃ | √ | √ | √ | √ |
C -20℃～+70℃ |
| √ | √ | √ |
D -40℃～+85℃ |
| √ | √ | √ |
E -55℃～+85℃ |
|
| √ | √ |
- 所属城市：四川 成都
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- 联系人： 刘洲
- 电话：028-87559317
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供应表贴温补晶体振荡器STXO25A
信息内容：品牌:天奥 型号:表贴温补晶体振荡器STXO25A 种类:晶振 标称频率:1（MHz） 调整频差:1（MHz） 温度频差:1（MHz） 总频差:1（MHz） 负载电容:1（pF） 负载谐振电阻:1（Ω） 激励电平:11（mW） 基准温度:1（℃） 插入损耗:1（dB） 阻带衰减:1（dB） 输入阻抗:1（kΩ） 输出阻抗:1（kΩ）表贴温补晶体振荡器STXO25A 产品特点及应用： 7.0×5.0×2.0mm 陶瓷SMD封装精度高输出为CMOS或准Sine Wave 工作电压： 3.3V/5V 广泛应用于民用通信、电子等领域 表1性能参数符号最小典型指标单位条件/备注频率范围F5 26MHz 标准频率5，6.4，8，10，12.5，12.8，16，19.44，25MHz 工作温度Ta见表2℃ 存储温度Ts-55 +125℃ 频率温度稳定度 见表2ppm 输出形式CMOSClipped Sine wave C：CMOSS：Clipped Sine wave输入电压Vdd4.753.13 5.253.47VA=5V±5%B=3.3V±5%供电电流 6mACMOS3.5SINE WAVE输出电平 0.8 VVp-p“1” “0”电平 90% Vdd 10% VddV 占空比 4045/5560%CMOSVc的输入阻抗 100 MΩ 相位噪声 -120-140-148 dBc/Hz/100HzdBc/Hz/1KHzdBc/Hz/10KHz12.8MHz三态控制 （Vdd）70% VT：有 （Vdd）30%N：无 表2温度...
恒温晶体振荡器SOXO17A/17B1
信息内容：品牌:elecspn 型号:恒温晶体振荡器SOXO17A/17B 种类:晶振 标称频率:1（MHz） 调整频差:1（MHz） 温度频差:1（MHz） 总频差:11（MHz） 负载电容:1（pF） 负载谐振电阻:1（Ω） 激励电平:1（mW） 基准温度:1（℃） 插入损耗:11（dB） 阻带衰减:1（dB） 输入阻抗:1（kΩ） 输出阻抗:1（kΩ）恒温晶体振荡器SOXO17A/17B产品特点及应用：l 高稳定度、低相噪 l 频率稳定度高 10-7～10-8 l 标准封装结构，多种输出方式 l 广泛适用于通信、电子等领域 表1性能指标符号最小典型参数单位条件/备注频率范围F1010200MHz 工作温度Ta见表2℃ 存储温度Ts－55 +85℃ 频率精度 ±0.2±0.5±1ppm+25℃±2℃频率温度稳定度 见表2 老化 ±0.1±1 ppm/year 输出形式 ＋5＋10＋13dBm/50WS：SINE WAVE H：TTL/CMOS输入电压Vdd A=12±5%B=5±5%C=3.3±5% V 输入电流IMAX300350400mAVdd＝12VI稳定100150180相位噪声(典型值)10Hz100Hz1kHz100kHz -115d-140-155-162dBc/HzF0＝10MHz-90-120-150-160F0＝80MHz 表2温度范围频率温度稳定度（ppm）A (±0.02)B (±0...
