价格优表:lN4001-1N4007型硅整流二极管
| 价 格： | 100.00 |
品牌:STC美国硅晶体管 型号:1N4007 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MAP/匹配对管 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 开启电压:400（V） 夹断电压:400（V） 低频跨导:400（μS） 极间电容:400（pF） 低频噪声系数:2（dB） 漏极电流:2（mA） 耗散功率:2（mW）
柜台
| 表:lN4001-1N4007型硅整流二极管 700 × 491 - 53k - gif parameter.weeqoo.com | 1N4007 |
价格优势现货
深圳市福田区赛格电子市场耀利达电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏妙旋
- 电话：0755-25321872
- 传真：0755-25321872
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
整流桥堆 整流桥/KBPC5010
信息内容：品牌:YAU日本GENERAL 型号:kbpc5010 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:DC/直流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:500（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:500（μS） 极间电容:500（pF） 低频噪声系数:10（dB） 漏极电流:10（mA） 耗散功率:10（mW）dzsc/17/4292/17429240.jpg柜台现货
单向可控硅, 40TPS12APBF
信息内容：品牌:ADV美国先进半导体 型号:40TPS12 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1200（V） 夹断电压:1200（V） 低频跨导:1200（μS） 极间电容:1200（pF） 低频噪声系数:1200（dB） 漏极电流:12（mA） 耗散功率:12（mW）dzsc/17/4411/17441187.jpg柜台现货
