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供应60V,12A N-Ch MOS场效应管 AOD444

价 格: 面议
型号/规格:AOD444/D444/P6006BD
品牌/商标:AOSMD
封装形式:TO-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:盒带编带包装
功率特征:

AOD444/AOI444
60V N-Channel MOSFET

General Description Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V) 12A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 60mΩ
RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 85mΩ
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
Maximum Junction-to-Case Steady-State RθJC °C/W
Maximum Junction-to-Ambient A D °C/W
4
60
7.5
Power Dissipation B PD W
Power Dissipation A PDSM W
TA=70°C
20
1.3
TA=25°C
A
TA=25°C
IDSM A
TA=70°C
ID
12
9
TC=25°C
TC=100°C
Avalanche energy L=0.1mH C mJ
Avalanche Current C
3
Continuous Drain
Current
18
4
19 A
The AOD444/AOI444 combine advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low RDS(ON). Those devices are suitable for use
in PWM, load switching and general purpose applications.

深圳市福田区广辉电经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈树辉
  • 电话:0755-82534577/13076512089
  • 传真:0755-82534577
  • 手机:13686868407
  • QQ :QQ:659974144QQ:178585399
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