供应IR高效率MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRF6643TRPbF | |
| 品牌/商标： | IR | |
| 封装形式： | DirectFET中罐 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
产品基本规格如下：
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器件编号 |
封装 |
BVDSS(V) |
10V下RDS(on) (mOhm) |
10V下典型RDS(on) (mOhm) |
VGS (V) |
25oC下的 |
典型QG (nC) |
典型QGD |
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IRF6643TRPbF |
DirectFET中罐 |
150 |
34.5 |
29 |
20 |
35 |
39 |
11 |
IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。有关DirectFET MOSFET封装技术的详情，可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com。
IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET现已开始供货。
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 客户服务部
- 电话：021-5877-5606
- 传真：-
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供应用于DC-DC降压式转换器的30V DirectFET MOSFET
信息内容：IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货，产品基本规格如下： 产品编号 封装 BVDSS (V) 10V以下 RDS(on) (mΩ) 4.5V以下 RDS(on) (mΩ) VGS (V) 在25oC 的ID (A) 典型QG (nC) 典型QGD (nC) IRF6638 DirectFET Small Can 30 2.9 3.9 20 140 30 11 IRF6631 DirectFET Medium Can 30 7.8 10.8 20 57 12 4.4
供应PQFN 封装的20V MOSFET
信息内容：器件编号 封装 电压 Vgs Rdson max @ Vgs=4.5 Rdson max @ Vgs=2.5 Id @ Tc=25 IRFH6200TRPbF PQFN 5x6mm 20 V ±2V 1.2 mΩ 1.4 mΩ 100 A 另外出售20V、25V 及30V MOSFET 有关产品现正接受批量订单。这些新器件的数据表和应用说明已刊登于IR的网站 www.irf.com。 IRFH6200TRPbF 具有业界导通电阻
