价 格: | 面议 | |
型号/规格: | IRF6638、IRF6631 | |
品牌/商标: | IR | |
封装形式: | DirectFET Small Can、DirectFET Medium Can | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | |
IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货,产品基本规格如下:
产品编号 |
封装 |
BVDSS (V) |
10V以下 RDS(on) (mΩ) |
4.5V以下 RDS(on) (mΩ) |
VGS (V) |
在25oC 的ID (A) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
IRF6638 |
DirectFET Small Can |
30 |
2.9 |
3.9 |
20 |
140 |
30 |
11 |
IRF6631 |
DirectFET Medium Can |
30 |
7.8 |
10.8 |
20 |
57 |
12 |
4.4 |
器件编号 封装 电压 Vgs Rdson max @ Vgs=4.5 Rdson max @ Vgs=2.5 Id @ Tc=25 IRFH6200TRPbF PQFN 5x6mm 20 V ±2V 1.2 mΩ 1.4 mΩ 100 A 另外出售20V、25V 及30V MOSFET 有关产品现正接受批量订单。这些新器件的数据表和应用说明已刊登于IR的网站 www.irf.com。 IRFH6200TRPbF 具有业界导通电阻
规格 参数 价值 包 SO-8SO - 8封装 电路 离散 VBRDSS(五) 100 VGS电压值(五) 20日 的RDS(on)10V的(毫) 22.0 帐号@电讯= 25℃(甲) 7.3 帐号@电讯= 70℃(甲) 4.6 Qg和典型(北卡罗来纳州) 34.0 Qgd典型(北卡罗来纳州) 11.7 维尔特(Jc的)(文/瓦) 50(JA)及 电讯局长的功耗= 25℃(宽) 2.50 一部分的地位 主动与 皆不 皆不可供选择 包装类可以 表面贴装与信息