价 格: | 面议 | |
型号/规格: | BV03C BV05C | |
品牌/商标: | LangTuo | |
封装形式: | SOD323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特性: | 中功率 | |
频率特性: | 超高频 | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
深圳市浪拓电子技术有限公司(瞬变电压抑制器)
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VDRM V |
IDRM μA |
Vbr V |
IR mA |
Vc V |
Ipp A |
Vc |
Ipp A |
CO pF |
|
MAX |
MIN |
|
MAX |
|
MAX |
|
MAX | |
LTBV |
3 |
20 |
4 |
1 |
5.15 |
1 |
13.9 |
12 |
1.5 |
|
VDRM V |
IDRM μA |
Vbr V |
IR mA |
Vc V |
Ipp A |
Vc |
Ipp A |
CO pF |
|
MAX |
MIN |
|
MAX |
|
MAX |
|
MAX | |
LTBV |
5 |
5 |
6 |
1 |
9.8 |
1 |
18.3 |
8 |
1.5 |
LT-BV
PPTC器件与传统的熔断器相似之处在于:能够在故障产生和持续状态下限制危险性的大电流;而不同之处在于:在故障消除后和/或电路电源断开后,PPTC器件能够自动复位。另一项优点是PPTC器件较为小巧,能够直接安装在电路板上,并且可安装在电子模块、接线盒和配电中心部件内。 Part Number I hold(A) I trip(A) V max(Vdc) I max(A) Pd max.(W) MaximumTime To Trip Resistance AgencyApproval Current(A) Time(Sec.) R min(Ω) R 1max(Ω) mSMD010-1812 0.1 0.3 30 100 0.8 0.5 1.5 1.6 15 UL/CSA/TÜV mSMD014-1812 0.14 0.34 60 10 0.8 1.5 0.15 1.5 6 UL/CSA/TÜV mSMD020-1812 0.2 0.4 30 100 0.8 8 0.02 0.8 5 UL/CSA/TÜV mSMD050-1812 0.5 1 15 100 0.8 8 0.15 0.15 1 UL/CSA/TÜV mSMD075-1812 0.75 1.5 13.2 100 0.8 8 0.2 0.1 0.45 UL/CSA/TÜV mSMD110-1812 1.1 2.2 8 100 0.8 8...
SiBar半导体浪涌保护元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,可以对模拟和数字线路卡,XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备、VoIP设备和PoE设备实现快速的双向保护. SiBar元件与能量处理等级相同的 位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中. 优点 • 有助于保护敏感的电信电子设备 • 泄漏电流低 • 功率耗散低 • 电容低,适合高速通信应用 • 动作快而可靠 • 没有会磨损的机械零件 • 帮助设计者符合全球性的电信标准 • 有助于减少维修和服务成本 • 易于安装 • 有助于提高设备的电源效率 特性 • 符合RoHS标准要求 • 双向瞬变电压保护 • 截止时呈高阻状态 • 导通时呈低阻状态 • 浪涌吸收能力高 • 新低电容和微电容器件 • 提供更广的电压范围(6V~400V) • 短路故障模式 • 表面贴装技术 应用 • 调制解调器 • 传真机 • 电话 • PBX系统 • POS系统 • 模拟/数字用户电路 (xDSL, T1/E1...) • 其他...