供应SiBar晶闸管浪涌抑制器LT-BS0060MS
| 价 格： | 1.40 | |
| 型号/规格： | LT-BS0060MS LT-BS0080MS | |
| 品牌/商标： | LangTuo | |
| 封装形式： | DO-214AC | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 整流电流： | | |
| 反向击穿电流： | |
SiBar半导体浪涌保护元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC6
SiBar元件与能量处理等级相同的 位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中.
优点
• 有助于保护敏感的电信电子设备
• 泄漏电流低
• 功率耗散低
• 电容低,适合高速通信应用
• 动作快而可靠
• 没有会磨损的机械零件
• 帮助设计者符合全球性的电信标准
• 有助于减少维修和服务成本
• 易于安装
• 有助于提高设备的电源效率
特性
• 符合RoHS标准要求
• 双向瞬变电压保护
• 截止时呈高阻状态
• 导通时呈低阻状态
• 浪涌吸收能力高
• 新低电容和微电容器件
• 提供更广的电压范围(6V~400V)
• 短路故障模式
• 表面贴装技术
应用
• 调制解调器
• 传真机
• 电话
• PBX系统
• POS系统
• 模拟/数字用户电路 (xDSL, T1/E1...)
• 其他需要保护的用户设备和网络设备
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型号 |
断态电压 |
转折电压 |
通态压降 |
维持电流 |
极间电容 | |||
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VDRM V |
IDRM μA |
VS V |
IS mA |
VT V |
IT A |
IH mA |
CO pF | |
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MAX |
TYPE |
MAX |
MAX |
|
MIN |
MAX | |
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LT-BS0060MS |
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5 |
20 |
800 |
4 |
1 |
40 |
40 |
■浪拓电子技术有限公司(http://www.szlangtuo.com)是国内一家全方位,全流程提供防雷方案和器件的高科技公司.
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供应SMD气体放电管LT-BF091M
信息内容：浪拓电子高品质贴片气体放电管（GDT） Part Number DCSpark-over Voltage Impulse Life Test Minimum Insulation Resistance Maximum Capacitance Impulse Discharge Current Impulse Discharge Voltage (V) 8/20μs 100A Test Voltage (MΩ) (1MHz 1V) 8/20μs (Times) DC(V) (pF) (A) LT-BF091M 90±20% 300 25 100 0.5 5000 10/700μs 4kV ±5 Times LT-BF201M 150±20% 300 50 100 0.5 5000 LT-BF231M 200±20% 300 100 100 0.5 5000 ◆浪拓电子技术（www.szlangtuo.com）研制，生产，销售陶瓷气体放电管的高科技公司.
供应BS0060N固体放电管
信息内容：浪拓电子浪涌保护器经特别设计专为保护敏感的电信设备免受浪涌和其他瞬态过压器件，该系列产品能够处理非常高的浪涌电流，并稳定的电气特性，高可靠性，低电容等先进特性。 特点:·双向crowbar 瞬态电压抑制 ·高浪涌能力 ·高断态阻抗，低漏电。 ·低通态电压 ·短路失效模式 浪拓电子技术有限公司(http://www.szlangtuo.com)是国内一家全方位,全流程提供防雷解决方案和浪涌保护器件的高科技公司.
