供应5A大功率继电器G6B-1114P-US/20*10*10
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | G6B-1114P-US-24VDC/G6B-1114P-US-12VDC | |
| 品牌/商标： | OMRON |
高容量、高耐压、密封构造，
小型1a5A（8A）、1a1b、2a、2b5A的功率继电器
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供应双电压比较器IC/LM393ST/MSOP8
信息内容：LM393ST 为双电压比较器，LM393 系列由两个偏移电压指标低达 2.0 的独立精密电压比较器构成。 该产品采用单电源操作设计，且适用电压范围广。该产品也可采用分离式电源，低电耗不受电源电压值影响。本品还有一个特点是，即使是在单电源操作时，其输入共模电压范围也包括接地。LM393 系列可直接与 TTL 及 CMOS 逻辑电路接口。无论时正电源还是负电源操作，当低电耗比标准比较器的优势明显时，LM393系列便与 MOS 逻辑电路直接接口。 各引脚功能： 8 脚电源＋，4 脚电源－，1 脚比较器 A 输出，2脚比较器 A 反相输入，3 脚比较器 A 同向输入，5 脚比较器 B 同向输入，6 脚比较器 B 反相输入，7 脚比较器B输出。
供应MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-252 - AP01N60H
信息内容：Part No. AP01N60H Vds (V) 600V Vgs (V) ±30V Rds (On) Max (mΩ) Vgs @ 10V 8000 Vgs @ 4.5V Vgs @ 2.5V Vgs @ 1.8V Qg (nC) 7.7 Qgs (nC) 1.5 Qgd (nC) 2.6 Id (A) 1.6 Pd (W) 39 Configuration Single N Package TO-252 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个M OSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中...
