型号: | YL402 | |
产品特性: | ZL200730120271.1 | |
认证号: | RoHS compliant ECDriective 2002/95/EC,2005/618/EC 2005/717/EC,2005/747/EC and 2006/310/EC | |
外形尺寸(mm)L X W X H: | 28.5X28.5X25.5 | |
线圈电压(VDC): | 12,24 | |
线圈功耗: | 1.32W 1.53W | |
触点材料: | Sliver Alloy | |
触点形式: | 1A,1C | |
触点切换电流(A): | 40A | |
触点负载: |
NO:40A/14VDC | |
环境温度: | -40~85 ℃ | |
介质耐压: | 触点间 | 50Hz 550V |
触点与线圈间 | 50Hz 550V | |
绝缘电阻: | 100 MΩ | |
接触电阻: | ≤50 MΩ | |
电寿命: | 1*10^5 | |
机械寿命: | 5*10^6 | |
安装尺寸(底视图): | ||
线路图(底视图): | ||
重量: | 40g | |
型号对照: | HONGFA HFV8 |
型号: YL401 产品特性: Small size light weight Heavy contact load(15A,20A,25A) Suitable for automobile and Lamp accessories application 认证号: 外形尺寸(mm)L X W X H: 17.5x16.8x13.2 线圈电压(VDC): 12 线圈功耗: 0.81W 0.51W 触点材料: Sliver Alloy 触点形式: 2x(2x1C)(H-Bridge) 触点切换电流(A): 20A 触点负载: NO:20A/14VDCNC:10A/14VDC 环境温度: -40~85 ℃ 介质耐压: 触点间 50Hz 550V 触点与线圈间 50Hz 550V 绝缘电阻: 100 MΩ 接触电阻: ≤50 MΩ 电寿命: 1*10^5 机械寿命: 5*10^6 安装尺寸(底视图): 线路图(底视图): 重量: 10g 型号对照: TYCO DMR V23084
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)2SK2843Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor DriveApplicationsLow drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.54 Ω (typ.)High forward transfer admittance : |Yfs| = 9.0 S (typ.)Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)Enhancement−mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) MOSFET的选择 MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。 步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的步是决定采用N沟道还...