供应汽车继电器/YL401/17.5*16.8*13.2
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | YL401-DC12V/YL401-DC24V/V23084 | |
| 品牌/商标： | YLE |
| 型号: | YL401 | |
| 产品特性: |
Small size light weight Heavy contact load(15A,20A,25A) Suitable for automobile and Lamp accessories application | |
| 认证号: | ||
| 外形尺寸(mm)L X W X H: | 17.5x16.8x13.2 | |
| 线圈电压(VDC): | 12 | |
| 线圈功耗: | 0.81W 0.51W | |
| 触点材料: | Sliver Alloy | |
| 触点形式: | 2x(2x1C)(H-Bridge) | |
| 触点切换电流(A): | 20A | |
| 触点负载: |
NO:20A/14VDC | |
| 环境温度: | -40~85 ℃ | |
| 介质耐压: | 触点间 | 50Hz 550V |
| 触点与线圈间 | 50Hz 550V | |
| 绝缘电阻: | 100 MΩ | |
| 接触电阻: | ≤50 MΩ | |
| 电寿命: | 1*10^5 | |
| 机械寿命: | 5*10^6 | |
| 安装尺寸(底视图): | ||
| 线路图(底视图): | ||
| 重量: | 10g | |
| 型号对照: | TYCO DMR V23084 | |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
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供应600V 10A,N-Ch MOS管/K2843
信息内容：TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)2SK2843Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor DriveApplicationsLow drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.54 Ω (typ.)High forward transfer admittance : |Yfs| = 9.0 S (typ.)Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)Enhancement−mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的步是决定采用N沟道还...
供应MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK - IRFR1N60A
信息内容：Technical/Catalog Information IRFR1N60A Vendor Vishay/Siliconix Category Discrete Semiconductor Products Mounting Type Surface Mount FET Polarity N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 840mA, 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 229pF @ 25V Power - Max 36W Packaging Tube Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V Package / Case DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 FET Feature Standard Lead Free Status Contains Lead RoHS Status RoHS Non-Compliant Other Names IRFR1N60AIRFR1N60AMOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产...
