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半导体放电管SDT0080EB

价 格: 面议

规格:TO92封装 品牌:NEWSTAR 产地:China 型号:SDT0080EB 数量:340K

SDT0080EB

一、 特点

1、   双向浪涌电流吸收

2、   峰值脉冲电流:IPP=75A(10/700μs3KV)

3、   最小击穿电压:VBR=8V

4、   转折电压:VBO=25V

5、   最小维持电流:IH=30mA

6、   极小的漏电流:IRM5μA

二、 描述

SDT0080EB是一个双向瞬态浪涌吸收器件,它主要在通讯设备中起过电压保护作用,使敏感的通信设备免受雷击和其他瞬态电压的冲击。

深圳雷封科技有限公司
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供应半导体放电管SDT0080MA

信息内容:

一、 特点 1、 双向浪涌电流吸收 2、 峰值脉冲电流:IPP=50A(10/700μs,2KV) 3、 断态电压:VRM=6V 4、 转折电压:VBO=25V 5、 最小维持电流:IH=50mA 6、 极小的漏电流:IRM≤5μA 二、 描述 SDT0080MA是一个双向瞬态浪涌吸收器件,它主要在通讯设备中起过电压保护作用,使敏感的通信设备免受雷击和其他瞬态电压的冲击。

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