SST39VF1681-70-4I-EKE存储器

产品参数：

 

　　工作温度范围 -40°C to + 85°C                            封装类型 TSOP
　　针脚数 48                                                        工作温度 -40°
　　工作温度 +85°C                                         电源电压 3.6V
　　最小电源电压 2.7V                                           表面安装器件 表面安装
　　重量 0.00003                                                  存储器类型 Flash, NOR
　　存储器配置 2M x 8bit                                        存储器容量 16Mbit
　　电源电压范围 2.7V to 3.6V                                访问时间 70ns
　　接口 Parallel                                                     接口类型 Parallel
　　扇区类型 底部引导

 

 

 　 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　l NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　2 NAND的写入速度比NOR快很多。
　　3 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　4 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　5 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
　　
接口差别
　　NOR FLASH带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。     NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。      NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
　　
容量和成本
　　NAND FLASH的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。      NOR FLASH占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分，而NAND FLASH只是用在8~128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFLASH、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额。
　　
可靠性和耐用性
　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，FLASH是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
　　
寿命（耐用性）
　　在NAND闪存中每个块的擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些