SST39SF040-70-4I-NHE存储器

产品参数：

 

　　存储器类型 NOR Flash                        速度 70NS
　　工作电压 4.5V~5.5V                         封装-箱体 1500
　　封装 PLCC32                                    存储容量 4Mbit
　　最小温度范围 -40℃                           工作温度 +85℃
　　品牌： SST                                      型号： SST39SF040-70-4I-NHE
　　封装： PLCC32                                 批号： 2010+
　　类型： 存储器

 

NOR Flash的访问方式
　　在NOR FLASH的读取数据的方式来看，它与RAM的方式是相近的，只要能够提供数据的地址，数据总线就能够正确的挥出数据。考虑到以上的种种原因，多数微处理器将NOR FLASH当做原地运行（Execute in place,XIP）存储器使用，这其实以为着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行。由于NOR FLASH没有本地坏区管理，所以一旦存储区块发生毁损，软件或驱动程序必须接手这个问题，否则可能会     导致设备发生异常。 在解锁、抹除或写入NOR FLASH区块时，特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的页（Page）。接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序，而这些指令是由一般性闪存接口（Common FLASH memory Interface, CFI）所界定的。 与用于随机存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存储设备上；不过与NAND FLASH相比，NOR FLASH的写入速度一般来说会慢很多。
　　

可靠性和耐用性
　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，FLASH是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。     寿命（耐用性）      在NAND闪存中每个块的擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些