SST39VF400A-70-4I-EKE存储器

产品参数：

 

　　存储器类型 NOR Flash               速度 70NS
　　工作电压 2.7~3.6V                  封装-箱体 960
　　封装 TSOP48                          存储容量 4 Mbit
　　最小温度范围 -40℃                  工作温度 +85℃

 

Nor Flash 在实际应用中的读取方式
　　本实验是基于TQ2440的实验平台，采用S3C2440（ARM9）的CPU,以ADS/MDK的开发环境，使用的是AM29LV160DB的NORFLASH,进行开发学习的一个NOR FLASH的编写和读取。     （1）   Nor FLASH 工作模式      Nor FLASH上电后处于数据读取状态（Reading Array Data）。此状态可以进行正常的读。这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样。（要是不一样的话，芯片上电后如何从NorFLASH中读取启动代码。~）      一般再对FLASH进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号。这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备。    Nor FLASH支持2种方式获取ID号。一种是编程器所用的方法需要高电压（11.5V-12.5V）。另一种方法就是所谓的in-system方法，就是在系统中通过NorFLASH的命令寄存器来完成。本文中只对in-system方法进行说明。此时需要切换到自动选择（Autoselect Command），这要通过发送命令来完成。命令类型见下图。注意：      进入自动选择（Autoselect Command）模式后需要发送复位命令才能回到数据读取状态（Reading Array Data）。      在完成信息获取后一般就要擦除数据。 NorFLASH支持扇区擦（Sector Erase）除和整片擦除（Chip Erase）。这2种模式都有对应的命令序列。在完成擦除命令后会自动返回到数据读取（Reading Array Data）状态。在返回前可查询编程的状态。      完成擦除后就需要对芯片进行写入操作也就是编程。这就需要进入编程（Program）状态。在完成编程命令后会自动返回到数据读取（Reading Array Data）状态。在返回前可查询编程的状态。注意：编程前一定要先擦除。因为编程只能将‘1’改写为‘0',通过擦写可以将数据全部擦写为'1'.

 

 

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