LY62256RL-70LL存储器

产品参数：

 

　　类型： 存储器                          存储容量： 256k
　　型号： LY62256RL-70LLI           批号： 2012+
　　品牌： LYONTEK                      针脚数： 28
　　产品种类 SRAM                        存储容量 256 Kbit
　　封装 TSOP-28                          封装： TSOP28
　　工作电源电压 2.7-5.5v               访问时间 70 ns
　　工作温度 +85℃                  最小工作温度 -40℃
　　组织 64K x 8                            安装风格 SMD/SMT

 

背景知识
　　RAM （Random Access Memory随机存贮器）是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且与存储单元地址无关的可以读写的存储器。几乎所有的计算机系统和智能电子产品中，都是采用RAM作为主存。
　　在系统内部，RAM是仅次于CPU的最重要的器件之一。它们之间的关系，就如人的大脑中思维与记忆的关系一样，实际上是密不可分的。但在计算机内部，它们却是完全独立的器件，沿着各自的道路向前发展。代个人电脑的CPU8088时钟频率还不到10MHz,而现在的Pentium Pro CPU的时钟频率已达到2GHz甚至更高。在CPU和RAM之间有一条高速数据通道，CPU所要处理的数据和指令必须先放到RAM中等待。而CPU也把大部分正在处理的中间数据暂时放置在RAM中，这就要求RAM和CPU之间的速度保持匹配。

 

主要用途
　　SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache）。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。SRAM也有许多种，如AsyncSRAM （Asynchronous SRAM,异步SRAM）、Sync SRAM （Synchronous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM,流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
　　基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器（decode），灵敏放大器（Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。