SST39VF400A-70-4C-EKE相存储器

产品参数：

 

　　工作温度范围 0°C to + 70°C                封装类型 TSOP
　　针脚数 48                                         工作温度 0°
　　工作温度 +70°C                           电源电压 3.6V
　　最小电源电压 2.7V                             表面安装器件 表面安装
　　重量 0.00003                                    存储器类型 Flash, NOR
　　存储器配置 256K x 16bit                     存储器容量 4Mbit
　　电源电压范围 2.7V to 3.6V                  访问时间 70ns
　　接口 Parallel                                       接口类型 Parallel
　　扇区类型 一致

 

NOR Flash的访问方式
　　在NOR FLASH的读取数据的方式来看，它与RAM的方式是相近的，只要能够提供数据的地址，数据总线就能够正确的挥出数据。考虑到以上的种种原因，多数微处理器将NOR FLASH当做原地运行（Execute in place,XIP）存储器使用，这其实以为着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行。由于NOR FLASH没有本地坏区管理，所以一旦存储区块发生毁损，软件或驱动程序必须接手这个问题，否则可能会     导致设备发生异常。 在解锁、抹除或写入NOR FLASH区块时，特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的页（Page）。接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序，而这些指令是由一般性闪存接口（Common FLASH memory Interface, CFI）所界定的。 与用于随机存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存储设备上；不过与NAND FLASH相比，NOR FLASH的写入速度一般来说会慢很多。

 

NOR和NAND详解
　　NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
　　像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
　　NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。