W9812G6JH-6原装存储器

产品参数：

 

　　产品类型 SDRAM               速度 166MHz
　　工作电压 3.3V±0.3V          封装-箱体 864
　　封装 TSOP54                    存储容量 128M（8Mx16）
　　最小温度范围 0℃              工作温度 70℃

 

　　Description The W9812G6JH is a 128M SDRAM and speed involving -5/-6/-6I/-6A/-75
　　Status: Mass Production
　　Features -3.3V± 0.3V power supply
　　             -Up to 200 MHz Clock Frequency
　　             - 2,097,152 Words × 4 banks × 16 bits organization
　　             -Self Refresh Mode
　　             -CAS Latency: 2 and 3
　　             -Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page
　　             -Burst Read, Single Writes Mode
　　             -Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
　　             -Auto-precharge and controlled precharge
　　             -4K refresh cycles/64 mS
　　             -Interface: LVTTL
　　Diagram N/A
　　Package TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free with RoHS compliant
　　Spice Model N/A
　　Development Tools N/A
　　Others N/A

 

 

影响性能的主要时序参数
　　所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。
　　非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是tRCD、CL和tRP.每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。
　　以内存最主要的操作--读取为例。tRCD决定了行寻址（有效）至列寻址（读/写命令）之间的间隔，CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑CL即可）：
　　1.要寻址的行与L-Bank是空闲的。也就是说该L-Bank的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL,这种情况我们称之为页命中（PH,Page Hit）。
　　2.要寻址的行正好是前一个操作的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为CL,这就是所谓的背靠背（Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH,Page Fast Hit）或页直接命中（PDH,Page Direct Hit）。
　　3.要寻址的行所在的L-Bank中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是tRP+tRCD+CL,这种情况我们称之为页错失（PM,Page Miss）。
　　显然，PFH是最理想的寻址情况，PM则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR--PH Rate、PFHR--PFH Rate、PMR--PM Rate.因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高PHR与PFHR,同时减少PMR,以达到提高内存工作效率的目的。

 

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