SST29EE010-70-4I-PHE

　　型号：SST29EE010-70-4I-PHE
　　品牌：SST
　　存储器类型 Parallel Flash
　　速度 70NS
　　工作电压 4.5~5.5V
　　封装-箱体 550
　　封装 DIP32
　　存储容量 1 Mbit
　　最小温度范围 -40℃
　　工作温度 +85℃
　　
可靠性和耐用性
　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
　　
寿命（耐用性）
　　在NAND闪存中每个块的擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。