闪存FLASH

产品参数：

　　是否提供加工定制： 否
　　品牌： Numonyx/恒忆
　　型号： NAND01GW3B2CN6F
　　封装： TSOP48
　　批号： 2010+
　　类型： 存储器
　　产品种类 闪存
　　封装-箱体 TSOP
　　组织 128K Byte x 1024
　　电源电压 3.6 V
　　最小电源电压 2.7 V
　　数据总线宽度 8 bit
　　存储容量 1 Gbit
　　访问时间 25000 ns
　　定时类型 Asynchronous
　　工作电流 30 mA
　　最小工作温度 0 C
　　工作温度 + 70 C

　　要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。
　　EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞）如下图所示，常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS.它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D.在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1.
　　EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG.若VG为正电压，浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
　　闪存的基本单元电路如下图所示，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
　　在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1.
　　闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”.
　　写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
　　读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1,电流小则定为0.浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。

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