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ISSI高速存储器IS62WV12816BLL-55TLI
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ISSI高速存储器IS62WV12816BLL-55TLI

价 格:
电议
型 号:
IS62WV12816BLL-55TLI
厂家:
ISSI
产品介绍

ISSI高速存储器IS62WV12816BLL-55TLI

产品参数:

 

  类型: 存储器
  品牌: ISSI
  型号: IS62WV12816BLL-55TLI
  封装: TSOP
  批号: 2010+
  产品种类 SRAM
  封装-箱体 TSOP-II
  工作电源电压 3.3 V
  存储容量 2 Mbit
  工作温度 + 85 C
  最小工作温度 - 40 C
  类型 Asynchronous
  访问时间 55 ns
  组织 128 K x 16
  端口数量 Single
  安装风格 SMD/SMT
  工作电流 3 mA
  接口 TTL

 

 


      存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存),也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等,能长期保存信息。内存指主板上的存储部件,用来存放当前正在执行的数据和程序,但仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。

 

  SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 



分类:   

按存储介质
  半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。
  磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。
  

按存储方式
  随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。
  顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元的物理位置有关。
  

按读写功能
  只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而不能写入的半导体存储器。
  随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。
  

按信息保存性
  非记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。
  记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。


      宝星微公司成立于95年,一直专于SST、ISSI、EXAR、三星、HYNIX、PCT、GLS等品牌FLASH、SDRAM、SRAM、DDR、8051MCU等产品的推广及应用, 致力于向通讯、工控以及电子消费类等领域提供技术支持及产品零件供应, 宝星微公司对产品质量的控制始终保持一贯严谨的作风,在业内积累起较高的信誉。

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