ISSI低功耗存储器

产品参数：

 

　　类型： 存储器
　　品牌： ISSI
　　型号： IS62C256AL-45ULI
　　存储容量： 256K
　　电源电压： 2.7-3.6
　　针脚数： 28
　　封装： SOP28
　　批号： 2010
　　产品种类 SRAM
　　封装-箱体 SOP-28
　　封装 Tube
　　工作电源电压 5 V
　　存储容量 256 Kbit
　　工作温度 + 85 C
　　最小工作温度 - 40 C
　　类型 Asynchronous
　　访问时间 45 ns
　　组织 32 K x 8
　　端口数量 Single
　　安装风格 SMD/SMT
　　工作电流 20 mA
　　接口 TTL

 

      ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
　　◎缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
　　◎SRAM使用的系统：
　　○CPU与主存之间的高速缓存。
　　○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
　　○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

 

　　SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。

 

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